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SI4435DY产品参数和技术文档

SI4435DY产品图

SI4435DY产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.42584
$1,064.61

SI4435DY产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 8.8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):24nC @ 5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1604pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.5W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SO

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装:2,500

其它名称:SI4435DYFSTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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