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SI4462DY-T1-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.15A(Ta) 1.3W(Ta) 8-SO

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:剪切带(CT)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.15A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):480 毫欧 @ 1.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):9nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.3W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SO

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装:1

其它名称:SI4462DY-T1-E3CT

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