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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 深圳廊盛科技有限公司

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  • 深圳市恒驰远创科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市科恒伟业电子有限公司

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  • 厂家VISHAY/威世通 
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  • 深圳市一呈科技有限公司

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  • 贸泽电子元器件(深圳)有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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  • 深圳市莱利尔科技有限公司

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  • 齐创科技(上海北京青岛)有限公司

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  • 瑞智通(香港)有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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SI4497DY-T1-GE3产品参数和技术文档

SI4496DY-T1产品图

SI4497DY-T1-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.94392
$2,359.80

SI4497DY-T1-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 36A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):36A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3.3 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):285nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9685pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3.5W(Ta),7.8W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SO

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装:2,500

其它名称:SI4497DY-T1-GE3TR SI4497DYT1GE3

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