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SI4532CDY-T1-GE3产品参数和技术文档

SI4532BY-T1产品图

SI4532CDY-T1-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.33558
$838.96

SI4532CDY-T1-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC

详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SO

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A,4.3A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):47 毫欧 @ 3.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):305pF @ 15V

功率 - 最大值:2.78W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

基本零件编号:SI4532

标准包装:2,500

其它名称:SI4532CDY-T1-GE3-ND SI4532CDY-T1-GE3TR SI4532CDYT1GE3

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