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SI4559ADY-T1-GE3产品参数
型号:SI4559ADY-T1-GE3
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:0.86
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/5309.1.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=5309
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=5309
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=5309
Samacsys PartID:5309
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/SI4559ADY-T1-GE3.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/SI4559ADY-T1-GE3.jpg
Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name:8-Pin Narrow SOIC
Samacsys Released Date:2015-07-16 09:54:08
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):6.1 mJ
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5.3 A
最大漏极电流 (ID):4.3 A
最大漏源导通电阻:0.058 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):3.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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