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| 型号: | SI4666DY-T1-GE3 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | VISHAY SILICONIX |
| 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.35 |
| Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released |
| 2D Presentation： | https://componentsearchengine.com/2D/0T/403455.2.1.png |
| Schematic Symbol： | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=403455 |
| PCB Footprint： | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=403455 |
| 3D View： | https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=403455 |
| Samacsys PartID： | 403455 |
| Samacsys Image： | https://componentsearchengine.com/Images/9/SI4666DY-T1-GE3.jpg |
| Samacsys Thumbnail Image： | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/SI4666DY-T1-GE3.jpg |
| Samacsys Pin Count： | 8 |
| Samacsys Part Category： | Transistor |
| Samacsys Package Category： | Small Outline Packages |
| Samacsys Footprint Name： | SOIC (NARROW): 8-LEAD |
| Samacsys Released Date： | 2017-08-19 06:23:45 |
| Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | PURE MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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