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SI4776DY-T1-GE3产品参数和技术文档

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价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.24064
$601.59

SI4776DY-T1-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.9A(Tc) 4.1W(Tc) 8-SO

制造商:Vishay Siliconix

系列:SkyFET®,TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:最後搶購

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):16 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):17.5nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):521pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):4.1W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TA)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SO

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装:2,500

其它名称:SI4776DY-T1-GE3TR

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