SI4833ADY-T1-E3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.6A（Tc） 1.93W（Ta），2.75W（Tc） 8-SO

制造商：Vishay Siliconix

系列：LITTLE FOOT®

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：72 毫欧 @ 3.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：750pF @ 15V

FET 功能：肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：1.93W（Ta），2.75W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SO

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

标准包装：2,500

其它名称：SI4833ADY-T1-E3TR