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SI4910DY-T1-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.6A 3.1W Surface Mount 8-SO

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:Digi-Reel®

零件状态:停產

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.6A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):27 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):32nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):855pF @ 20V

功率 - 最大值:3.1W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

基本零件编号:SI4910

标准包装:1

其它名称:SI4910DY-T1-E3DKR

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