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  • 北京人上科技有限公司

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SI4920DY-T1-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):25 毫欧 @ 6.9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA(最小)

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):23nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):-

功率 - 最大值:2W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

基本零件编号:SI4920

标准包装:2,500

其它名称:SI4920DY-T1-E3-ND SI4920DY-T1-E3TR SI4920DYT1E3

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