SI4920DY-T1-E3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO

制造商：Vishay Siliconix

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 6.9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：23nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：-

功率 - 最大值：2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

基本零件编号：SI4920

标准包装：2,500

其它名称：SI4920DY-T1-E3-ND SI4920DY-T1-E3TR SI4920DYT1E3