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SI4925DY-T1-E3产品参数
型号:SI4925DY-T1-E3
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.79
最大漏极电流 (Abs) (ID):4.7 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
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