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SI5513DC-T1产品参数
型号:SI5513DC-T1
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.8
Is Samacsys:N
最大漏极电流 (Abs) (ID):2.1 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.1 W
子类别:Other Transistors
Base Number Matches:1
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