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  • 八零友创集团

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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SI5922DU-T1-GE3产品参数和技术文档

SI5922DU-T1-GE3产品图

SI5922DU-T1-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.20944
$628.33

SI5922DU-T1-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A (Tc) 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):19.2 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):7.1nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):765pF @ 15V

功率 - 最大值:10.4W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® CHIPFET™ 双

供应商器件封装:PowerPAK® ChipFet 双

标准包装:3,000

其它名称:SI5922DU-T1-GE3TR

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