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  • SI5933DC-T1-GE3
  • 八零友创集团

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • SI5933DC-T1-GE3
  • 北京元坤伟业科技有限公司

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SI5933DC-T1-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8

详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.7A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.7A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):110 毫欧 @ 2.7A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):7.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):-

功率 - 最大值:1.1W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SMD,扁平引线

供应商器件封装:1206-8 ChipFET™

基本零件编号:SI5933

标准包装:3,000

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