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SI6469DQ-T1-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 1.5W(Ta) 8-TSSOP

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):8V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):28 毫欧 @ 6A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA(最小)

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±8V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.5W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-TSSOP

封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

标准包装:3,000

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