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  • si7450dy-t1-e3
  • 八零友创集团

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  • SI7450DY-T1-E3
  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 数量5500 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装SOP8 
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SI7452DP-T1-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11.5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK® SO-8

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):8.3 毫欧 @ 19.3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):160nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.9W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PowerPAK® SO-8

封装/外壳:PowerPAK® SO-8

标准包装:3,000

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