SI7452DP-T1-E3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8

详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11.5A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8

制造商：Vishay Siliconix

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.3 毫欧 @ 19.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：160nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.9W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PowerPAK® SO-8

封装/外壳：PowerPAK® SO-8

标准包装：3,000