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  • SI7465DY-T1-E3图
  • 深圳市芯脉实业有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • SI7465DY-T1-E3
  • 数量26980 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装SOP8 
  • 批号全新环保批次 
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SI7469DP-T1-E3产品参数
型号:SI7469DP-T1-E3
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:0.76
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=242477
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=242477
Samacsys PartID:242477
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/SI7469DP-T1-E3.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/SI7469DP-T1-E3.jpg
Samacsys Pin Count:9
Samacsys Part Category:Transistor
Samacsys Package Category:Other
Samacsys Footprint Name:PowerPAK-SO-8
Samacsys Released Date:2016-12-19 13:39:50
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):100 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):28 A
最大漏极电流 (ID):10.2 A
最大漏源导通电阻:0.025 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-C5
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):40 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:C BEND
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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