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SI7615ADN-T1-GE3产品参数
型号:SI7615ADN-T1-GE3
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-C5
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:2.07
雪崩能效等级(Eas):20 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):35 A
最大漏源导通电阻:0.0044 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:S-PDSO-C5
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:C BEND
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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