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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • SI7840DP-T1-GE3图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 数量85000 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装PAKSO-8 
  • 批号23+ 
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  • 深圳市楷兴电子科技有限公司

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  • 厂家VBsemi/台湾微碧 
  • 封装QFN8 
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 数量4014 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装NA/ 
  • 批号23+ 
  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量78800 
  • 厂家VISHAY-威世 
  • 封装QFN-8.贴片 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量83500 
  • 厂家VISHAY-威世 
  • 封装QFN-8.车规 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 数量23600 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装QFN85X6 
  • 批号22+ 
  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 封装QFN8 
  • 批号21+ 
  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 数量5300 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装QFN-8 
  • 批号20+ 
  • 百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可开13%增值税发票,支持样品,欢迎来电咨询!
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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市诚达吉电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号SI7840DP-T1-GE3的概述

SI7840DP-T1-GE3概述 SI7840DP-T1-GE3是一款由Siliconix(现为惠普旗下的Vishay公司)制造的高性能N沟道MOSFET。这款芯片以其优异的开关性能和低导通电阻而受到广泛应用,是现代电子产品设计中不可或缺的元件之一。凭借其可靠的工作性能和高效能,SI7840DP-T1-GE3已成为许多高功率应用的首选器件。 详细参数 SI7840DP-T1-GE3的主要参数如下: - 最大漏极源极电压(V_DS): 40V。这意味着在正常操作条件下,该器件可承受最高40伏特的电压。 - 最大连续漏极电流(I_D): 30A。这是该器件在特定环境条件下可持续承载的最大电流。 - 导通电阻(R_DS(on)): 0.016Ω(在10V栅极电压下)。导通电阻是评估MOSFET功率损耗的重要参数,值越低,效率越高。 - 栅极阈值电压(V_GS(th)): 2V到4V。这是开...
配单直通车
SI7842DP产品参数
型号:SI7842DP
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.88
Is Samacsys:N
最大漏极电流 (Abs) (ID):6.3 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):3.5 W
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1
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