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| 型号: | SI7850DP-T1-GE3 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | VISHAY SILICONIX |
| 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 0.76 |
| Samacsys Description： | VISHAY - SI7850DP-T1-GE3. - N CHANNEL MOSFET, 60V, 10.3A, SOIC, FULL |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 11 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 74 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 40 ns |
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