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  • SI8261BBD-C-IMR图
  • 深圳市芯鹏泰科技有限公司

     该会员已使用本站7年以上
  • SI8261BBD-C-IMR
  • 数量8500 
  • 厂家Silicon Labs 
  • 封装DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA 
  • 批号23+ 
  • 原装现货原厂正品
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  • 0755-82777852 QQ:892152356
  • SI8261BBD-C-IMR图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • SI8261BBD-C-IMR
  • 数量6328 
  • 厂家SILICON 
  • 封装LGA-8 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥19.8元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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SI8261BBD-C-IS产品参数
型号:SI8261BBD-C-IS
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:SDIP-6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:1.54
高边驱动器:NO
接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
长度:7.5 mm
功能数量:1
端子数量:6
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
筛选级别:AEC-Q100
座面最大高度:2.65 mm
最大供电电压:30 V
最小供电电压:6.5 V
标称供电电压:15 V
表面贴装:YES
温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:0.05 µs
接通时间:0.06 µs
宽度:4.58 mm
Base Number Matches:1
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