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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 厂家VISHAY(威世) 
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  • 深圳市徕派德电子有限公司

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  • 数量1580 
  • 厂家Vishay Siliconix 
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SI8481DB-T1-E1产品参数和技术文档

SI8481DB-T1-E1产品图

SI8481DB-T1-E1产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.16698
$500.94

SI8481DB-T1-E1产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT

详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 9.7A(Tc) 2.8W(Tc) 4-MICRO FOOT?(1.6x1.6)

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET? Gen III

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.7A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 3A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):47nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2500pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.8W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:4-MICRO FOOT?(1.6x1.6)

封装/外壳:4-UFBGA

标准包装:3,000

其它名称:SI8481DB-T1-E1TR

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