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SI8800EDB-T2-E1产品参数
型号:SI8800EDB-T2-E1
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
包装说明:GRID ARRAY, S-PBGA-B4
针数:4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:1.52
Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2.8 A
最大漏极电流 (ID):2 A
最大漏源导通电阻:0.105 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:S-PBGA-B4
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.9 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN
端子形式:BALL
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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