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  • 集好芯城

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 厂家Fairchild Semiconductor 
  • 封装贴/插片 
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  • 深圳市诺美思科技有限公司

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  • 厂家VISHAY/威世 
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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 数量12850 
  • 厂家SI 
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  • 上海磐岳电子有限公司

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  • 数量5800 
  • 厂家 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市芯为科技有限公司

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  • 深圳市芯为科技有限公司

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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 数量4000 
  • 厂家VISHAY威世 
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  • 品超電子(香港)有限公司

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  • 深圳市金泽顺电子有限公司

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  • 厂家██VISHAY/威世██(专营品牌) 
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  • 齐创科技(上海北京青岛)有限公司

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  • 数量18200新到 
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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 深圳市豪迈兴电子有限公司

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  • 深圳市莱利尔科技有限公司

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SI9433BDY-T1-E3产品参数和技术文档

SI9426产品图

SI9433BDY-T1-E3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.35384
$884.61

SI9433BDY-T1-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.5A(Ta) 1.3W(Ta) 8-SO

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):40 毫欧 @ 6.2A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):14nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±12V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.3W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SO

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装:2,500

其它名称:SI9433BDY-T1-E3TR SI9433BDYT1E3

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