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SIA450DJ-T1-E3产品参数
型号:SIA450DJ-T1-E3
是否无铅: 不含铅
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, S-XDSO-F3
针数:6
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.82
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:240 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1.52 A
最大漏极电流 (ID):1.52 A
最大漏源导通电阻:2.9 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:S-XDSO-F3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):1.5 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):40.5 ns
最大开启时间(吨):23.25 ns
Base Number Matches:1
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