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SIC779CD-T1-GE3产品参数
型号:SIC779CD-T1-GE3
生命周期:Active
零件包装代码:DFN
包装说明:HVQCCN, LCC40,.24SQ,20
针数:40
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:1.58
Is Samacsys:N
高边驱动器:YES
接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:S-XQCC-N40
长度:6 mm
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:40
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:HVQCCN
封装等效代码:LCC40,.24SQ,20
封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:12 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:0.8 mm
子类别:MOSFET Drivers
最大供电电压:16 V
最小供电电压:3 V
标称供电电压:12 V
电源电压1-最大:5.5 V
电源电压1-分钟:4.5 V
电源电压1-Nom:5 V
表面贴装:YES
温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Pure Matte Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD
端子节距:0.5 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30
断开时间:0.03 µs
接通时间:0.03 µs
宽度:6 mm
Base Number Matches:1
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