SIDC30D120E6X1SA2产品参数

品牌：Infineon Technologies

描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 35A（DC） 带箔切割晶片

制造商：Infineon Technologies

系列：-

包装：散装

零件状态：Digi-Key 停产

二极管类型：标准

电压 - DC 反向（Vr）（最大值）：1200V

电流 - 平均整流（Io）：35A（DC）

不同 If 时的电压 - 正向（Vf：1.9V @ 35A

速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：27µA @ 1200V

不同 Vr，F 时的电容：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：带箔切割晶片

工作温度 - 结：-55°C ~ 150°C

标准包装：1

其它名称：SIDC30D120E6 SIDC30D120E6-ND SP000011946

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）