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SIHB35N60E-GE3产品参数和技术文档

SIHB35N60E-GE3产品图

SIHB35N60E-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
7.41000
$7.41
10
6.61300
$66.13
100
5.42230
$542.23
500
4.39070
$2,195.35
1,000
3.70300
$3,703.00

SIHB35N60E-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 32A(Tc) 250W(Tc) D²PAK(TO-263)

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):94 毫欧 @ 17A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):132nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2760pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):250W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D²PAK(TO-263)

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:1,000

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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