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SIHF6N40D-E3产品参数和技术文档

SIHF6N40D产品图

SIHF6N40D-E3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1,000
0.69173
$691.73

SIHF6N40D-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK

详细描述:通孔 N 沟道 400V 6A(Tc) 30W(Tc) TO-220 整包

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:散装

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):400V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1 欧姆 @ 3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):311pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):30W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220 整包

封装/外壳:TO-220-3 整包

标准包装:1,000

其它名称:SIHF6N40DE3

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