SIHFR1N60A-GE3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA

详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） TO-252AA

制造商：Vishay Siliconix

系列：-

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：7 欧姆 @ 840mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：14nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：229pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：36W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-252AA

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：3,000

其它名称：SIHFR1N60A-GE3TR SIHFR1N60A-GE3TR-ND

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）