欢迎访问ic37.com |
会员登录免费注册
发布采购
型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
  •  
  • 图片
  • 型号
  • 供货商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
  •  
  • sihw47n65e-ge3
  • 八零友创集团

       该会员已使用本站13年以上

  • 数量-
  • 厂家-
  • 封装-
  • 批号-
  • -
  • 和我即时交谈 和我即时交谈
  • 0755-88917717/88917797/88279729 和我即时交谈 和我即时交谈
更多
  • SIHW47N65E-GE3图
  • SIHW47N65E-GE3
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

     该会员已使用本站14年以上

  • 数量27000 
  • 厂家Vishay 
  • 封装代理Vishay 
  • 批号21+ 
  • 只做原装公司现货一级代理销售
  • 和我即时交谈
  • 0755- 83360135 82527119专线/加QQ寻价,更精准,价格更优惠。 和我即时交谈
配单直通车
更多

SIHW47N65E-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD

详细描述:通孔 N 沟道 650V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247AD

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):47A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):72 毫欧 @ 24A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):273nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5682pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):417W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247AD

封装/外壳:TO-247-3

标准包装:500

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

  •  
  • 供货商
  • 型号*
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。