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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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SIHW61N65EF-GE3产品参数和技术文档

SIHW61N65EF-GE3产品图

SIHW61N65EF-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
15.43000
$15.43
10
14.03000
$140.30
100
11.92550
$1,192.55

SIHW61N65EF-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD

详细描述:通孔 N 沟道 650V 64A(Tc) 520W(Tc) TO-247AD

制造商:Vishay Siliconix

系列:E

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):64A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):47 毫欧 @ 30.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):371nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7407pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):520W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247AD

封装/外壳:TO-247-3

标准包装:480

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