欢迎访问ic37.com |
会员登录免费注册
发布采购
型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
  •  
  • 图片
  • 型号
  • 供货商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
  •  
  • sir414dp-t1-e3
  • 八零友创集团

       该会员已使用本站13年以上

  • 数量-
  • 厂家-
  • 封装-
  • 批号-
  • -
  • 和我即时交谈 和我即时交谈
  • 0755-88917717/88917797/88279729 和我即时交谈 和我即时交谈
更多
  • SiR414DP-T1-E3图
  • SIR414DP-T1-E3优势库存
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

     该会员已使用本站14年以上

  • 数量21000 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装QFN8 
  • 批号20+21+ 
  • 只做原装100%公司现货专业代理
  • 和我即时交谈
  • 0755-82527119 83360135 专线 /加QQ寻价,更精准,价格更优惠。 和我即时交谈
  • SiR414DP-T1-E3图
  • SIR414DP-T1-E3
  • 深圳市科恒伟业电子有限公司

     该会员已使用本站9年以上

  • 数量6852 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装DFN56 
  • 批号1926+ 
  • 只做进口原装正品现货!或订货假一赔十!
  • 和我即时交谈
  • 0755-83201767-83200050-83205202 和我即时交谈
  • SiR414DP-T1-E3图
  • SIR414DP-T1-E3
  • 深圳廊盛科技有限公司

     该会员已使用本站4年以上

  • 数量36000 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装QFN8 
  • 批号20+ 
  • 原装现货,OEM渠道,只做原装,可开增值票
  • 和我即时交谈
  • 0755-18682365538 和我即时交谈
  • SiR414DP-T1-E3图
  • SIR414DP-T1-E3
  • 深圳市一呈科技有限公司

     该会员已使用本站9年以上

  • 数量99178 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装DFN56 
  • 批号新年份2020+ 
  • ★全新原装正品、样品可售
  • 和我即时交谈 和我即时交谈
  • 0755-82779553 ★★只做原装进口,专业BOM表配单★★ 和我即时交谈 和我即时交谈
  • SiR414DP-T1-E3图
  • SIR414DP-T1-E3
  • 飞弛宏元器件

     该会员已使用本站11年以上

  • 数量30 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装QFN8 
  • 批号11+ 
  • 深圳有现货库存现货有单可议
  • 和我即时交谈 和我即时交谈
  • 0755-82730036/ 82730080 和我即时交谈 和我即时交谈
  • SiR414DP-T1-E3图
  • SIR414DP-T1-E3
  • 深圳承鹏兴实业有限公司

     该会员已使用本站6年以上

  • 数量40 
  • 厂家VISHAY威世 
  • 封装QFN8 
  • 批号11+ 
  • 原装代理分销PDF
  • 和我即时交谈
  • 13714705628[微信同号] +86-755-82788289 和我即时交谈

    sir414dp-t1-e3相关文章

配单直通车
更多

SIR416DP-T1-GE3产品参数和技术文档

SIR414DP-T1-E3产品图

SIR416DP-T1-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.62790
$1,883.70

SIR416DP-T1-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK® SO-8

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3.8 毫欧 @ 15A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):90nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3350pF @ 20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):5.2W(Ta),69W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PowerPAK® SO-8

封装/外壳:PowerPAK® SO-8

标准包装:3,000

其它名称:SIR416DP-T1-GE3-ND SIR416DP-T1-GE3TR SIR416DPT1GE3

  •  
  • 供货商
  • 型号*
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。