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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • SIR414DP-T1-E3
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  • SiR414DP-T1-E3图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • SiR414DP-T1-E3
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  • 厂家VISHAY 
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  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • SIR414DP-T1-E3图
  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • SIR414DP-T1-E3
  • 数量3280 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装NA/ 
  • 批号23+ 
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  • SIR414DP-T1-E3图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • SIR414DP-T1-E3
  • 数量78800 
  • 厂家VISHAY-威世 
  • 封装QFN-8.贴片 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
  • SiR414DP-T1-E3图
  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • SiR414DP-T1-E3
  • 数量3000 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装QFN8 
  • 批号22+ 
  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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  • SiR414DP-T1-E3图
  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • SiR414DP-T1-E3
  • 数量30 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装QFN8 
  • 批号21+ 
  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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配单直通车
SIR414DP-T1-GE3产品参数
型号:SIR414DP-T1-GE3
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:2.13
雪崩能效等级(Eas):80 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A
最大漏极电流 (ID):33 A
最大漏源导通电阻:0.0032 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F5
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:5.4 W
最大功率耗散 (Abs):83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):70 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):90 ns
最大开启时间(吨):77 ns
Base Number Matches:1
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