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  • sis5595b2cf-f
  • 八零友创集团

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  • SIS5595B2CF-F
  • 贸泽电子元器件(深圳)有限公司

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  • 数量672200 
  • 厂家SIS 
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SIS606BDN-T1-GE3产品参数和技术文档

SIS5595B2CF-F产品图

SIS606BDN-T1-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.69230
$2,076.90

SIS606BDN-T1-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta),35.3A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET® Gen IV

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.4A(Ta),35.3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):17.4 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1470pF @ 50V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3.7W(Ta),52W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8

封装/外壳:PowerPAK® 1212-8

标准包装:3,000

其它名称:SIS606BDN-T1-GE3TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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