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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市翔兴电子有限公司

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 深圳市莱杰信科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市莱杰信科技有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 贸泽电子元器件(深圳)有限公司

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SIS776DN-T1-GE3产品参数和技术文档

SIS756产品图

SIS776DN-T1-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.48300
$1,449.00

SIS776DN-T1-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8

制造商:Vishay Siliconix

系列:SkyFET®,TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):6.2 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):36nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1360pF @ 15V

FET 功能:肖特基二极管(体)

功率耗散(最大值):3.8W(Ta),52W(Tc)

工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8

封装/外壳:PowerPAK® 1212-8

标准包装:3,000

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