SISA14DN-T1-GE3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 3.57W（Ta），26.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8

制造商：Vishay Siliconix

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.1 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：29nC @ 10V

Vgs（最大值）：+20V，-16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1450pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.57W（Ta），26.5W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PowerPAK® 1212-8

封装/外壳：PowerPAK® 1212-8

标准包装：3,000

其它名称：SISA14DN-T1-GE3TR SISA14DNT1GE3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）