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SIUD402ED-T1-GE3产品参数和技术文档

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SIUD402ED-T1-GE3产品参考价格

价格分段
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6,000
0.08673
$520.40

SIUD402ED-T1-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1A(Ta) 1.25W(Ta) PowerPAK? 0806

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):730 毫欧 @ 200mA, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.2nC @ 8V

Vgs(最大值):±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):16pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.25W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PowerPAK? 0806

封装/外壳:PowerPAK? 0806

标准包装:3,000

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