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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 上海华整贸易有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 上海典宇电子科技有限公司

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  • 上海华整贸易有限公司

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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 深圳市珩瑞科技有限公司

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  • 北京创易科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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配单直通车
SK35GD126ET产品参数
型号:SK35GD126ET
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
IHS 制造商:SEMIKRON INTERNATIONAL
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15
针数:19
制造商包装代码:CASE T52
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.67
Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):40 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:COMPLEX
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X15
JESD-609代码:e3/e4
元件数量:6
端子数量:15
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-60747-1
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:TIN/SILVER
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):520 ns
标称接通时间 (ton):115 ns
VCEsat-Max:2.1 V
Base Number Matches:1
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