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  • SKIIP21NAB121T10图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • SKIIP21NAB121T10
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市浩兴林电子有限公司

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  • 数量500 
  • 厂家西门康 
  • 封装模块 
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SKIIP21NEB06I产品参数
型号:SKIIP21NEB06I
生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X30
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83
其他特性:UL RECOGNIZED
最大集电极电流 (IC):27 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:COMPLEX
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X30
元件数量:7
端子数量:30
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):750 ns
标称接通时间 (ton):110 ns
VCEsat-Max:2.7 V
Base Number Matches:1
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