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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 深圳芯源达电子有限公司

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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市领航达电子有限公司

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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 集好芯城

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 北京创易科技有限公司

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  • 深圳市浩兴林电子有限公司

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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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  • 深圳市创思克科技有限公司

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配单直通车
SKIIP31NAB12产品参数
型号:SKIIP31NAB12
生命周期:Obsolete
包装说明:SPECIAL SHAPE, R-XXSS-X22
针数:22
制造商包装代码:CASE M3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):45 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:COMPLEX
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XXSS-X22
元件数量:7
端子数量:22
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SPECIAL SHAPE
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):470 ns
标称接通时间 (ton):110 ns
VCEsat-Max:3 V
Base Number Matches:1
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