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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 深圳市领航达电子有限公司

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SKIIP32NAB12产品参数
型号:SKIIP32NAB12
生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X22
针数:22
制造商包装代码:CASE M3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81
Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED
最大集电极电流 (IC):65 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:COMPLEX
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X22
元件数量:7
端子数量:22
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):450 ns
标称接通时间 (ton):100 ns
VCEsat-Max:3 V
Base Number Matches:1
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