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  • 上海硅威科技有限公司

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  • SKiM601GD126DM【特价现货】图
  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 北京创易科技有限公司

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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 封装厂家直销.IGBT模块.可控硅模块二极管整流桥 
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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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  • 深圳市珩瑞科技有限公司

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配单直通车
SKIM601GD126DM产品参数
型号:SKIM601GD126DM
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:DO-204
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X39
针数:2
制造商包装代码:CASE D
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.7
Is Samacsys:N
其他特性:FAST
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):480 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X39
JESD-609代码:e2
元件数量:6
端子数量:39
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):920 ns
标称接通时间 (ton):305 ns
VCEsat-Max:2.15 V
Base Number Matches:1
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