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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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SKM150GAR123D产品参数
型号:SKM150GAR123D
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SEMIKRON INTERNATIONAL
零件包装代码:DO-204
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数:2
制造商包装代码:CASE D 58
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.63
其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):150 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X5
JESD-609代码:e2
元件数量:1
端子数量:5
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):800 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):470 ns
标称接通时间 (ton):240 ns
VCEsat-Max:3 V
Base Number Matches:1
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