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产品型号SKM200GB12E4的概述

芯片SKM200GB12E4的概述 SKM200GB12E4是由德国著名半导体制造商英飞凌(Infineon Technologies)推出的一款高性能IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块。作为一种重要的功率电子器件,IGBT模块被广泛应用于工业自动化、电动汽车、可再生能源以及电源管理等领域。SKM2...
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SKM200GB12E4产品参数
型号:SKM200GB12E4
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:SEMIKRON INTERNATIONAL
零件包装代码:DO-204
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数:2
制造商包装代码:CASE D56
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:2.34
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):314 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X5
元件数量:2
端子数量:5
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):597 ns
标称接通时间 (ton):244 ns
VCEsat-Max:2.05 V
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