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SLD8S12A产品参数
型号:SLD8S12A
是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life
包装说明:R-PSSO-C1
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:6.43
其他特性:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压:14.7 V
最小击穿电压:13.3 V
击穿电压标称值:14 V
最大钳位电压:19.9 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF):1.8 V
JESD-30 代码:R-PSSO-C1
最大非重复峰值反向功率耗散:7000 W
元件数量:1
端子数量:1
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:8 W
参考标准:AEC-Q101; IEC-61000-4-2, 4-4
最大重复峰值反向电压:12 V
最大反向电流:50 µA
反向测试电压:12 V
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子形式:C BEND
端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1
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