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  • SM6S14ATHE3/I图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • SM6S14ATHE3/I
  • 数量9328 
  • 厂家VISHAY-威世 
  • 封装车规-元器件 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥8.7元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025
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  • SM6S14ATHE3/I图
  • 深圳市斌腾达科技有限公司

     该会员已使用本站8年以上
  • SM6S14ATHE3/I
  • 数量1500 
  • 厂家Vishay Semiconductor Diod 
  • 封装DO-218AC 
  • 批号18+/19+ 
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SM6S14ATHE3/I产品参数
型号:SM6S14ATHE3/I
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明:R-PSSO-C1
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
Factory Lead Time:17 weeks
风险等级:5.81
其他特性:HIGH RELIABILITY
最大击穿电压:17.2 V
最小击穿电压:15.6 V
外壳连接:ANODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-218AC
JESD-30 代码:R-PSSO-C1
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:4600 W
元件数量:1
端子数量:1
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):245
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:6 W
参考标准:AEC-Q100
最大重复峰值反向电压:14 V
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:C BEND
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
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