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SM6S18AHE3/2D产品参数
型号:SM6S18AHE3/2D
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY SEMICONDUCTORS
零件包装代码:DO-218
包装说明:R-PSSO-C1
针数:1
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.81
其他特性:HIGH RELIABILITY
最大击穿电压:22.1 V
最小击穿电压:20 V
击穿电压标称值:21.05 V
外壳连接:ANODE
最大钳位电压:29.2 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-218AB
JESD-30 代码:R-PSSO-C1
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:3600 W
元件数量:1
端子数量:1
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:6 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:18 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:C BEND
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
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