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  • SM6S24AHE3J_A/I图
  • 深圳市斌腾达科技有限公司

     该会员已使用本站8年以上
  • SM6S24AHE3J_A/I
  • 数量1500 
  • 厂家Vishay Semiconductor Diod 
  • 封装DO-218AB 
  • 批号18+/19+ 
  • 一级代理进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营
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配单直通车
SM6S24AHE3_A/I产品参数
型号:SM6S24AHE3_A/I
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明:R-PSSO-C1
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:5.71
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY
最大击穿电压:29.5 V
最小击穿电压:26.7 V
外壳连接:ANODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-218AB
JESD-30 代码:R-PSSO-C1
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:4600 W
元件数量:1
端子数量:1
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):245
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:6 W
参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:24 V
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:C BEND
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1
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