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| 型号: | SM8S10AHE3/2D |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 零件包装代码： | DO-218 |
| 包装说明： | R-PSSO-C1 |
| 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, PD-CASE |
| 最大击穿电压： | 12.3 V |
| 最小击穿电压： | 11.1 V |
| 击穿电压标称值： | 11.7 V |
| 外壳连接： | ANODE |
| 最大钳位电压： | 17 V |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-218AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-C1 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 5200 W |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 8 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | AEC-Q101 |
| 最大重复峰值反向电压： | 10 V |
| 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
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