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  • SMBJ100HE3/5B图
  • 深圳市芯鹏泰科技有限公司

     该会员已使用本站7年以上
  • SMBJ100HE3/5B
  • 数量8500 
  • 厂家Vishay General Semiconductor - Diodes Di 
  • 封装TVS DIODE 100VWM 179VC DO214AA 
  • 批号23+ 
  • 原装现货原厂正品
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  • SMBJ100HE3/5B图
  • 深圳市芯脉实业有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • SMBJ100HE3/5B
  • 数量26980 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装SMBDO-214AA 
  • 批号全新环保批次 
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配单直通车
SMBJ10A产品参数
型号:SMBJ10A
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:0.69
Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED
最大击穿电压:12.3 V
最小击穿电压:11.1 V
击穿电压标称值:11.7 V
最大钳位电压:17 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.5 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:10 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:C BEND
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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